Inhaltsübersicht
Klassifizierung von Galvanisierungsverfahren
Sauer glänzende Verkupferung, Vernickelung, Vergoldung, Verzinnung
Prozessablauf
- Acid Dip →
- Panel Plating (Copper) →
- Pattern Transfer →
- Acid Cleaning →
- Two-Stage Countercurrent Rinsing →
- Microetching →
- Two-Stage Countercurrent Rinsing →
- Acid Dip →
- Tin Plating →
- Two-Stage Countercurrent Rinsing →
- Acid Dip →
- Pattern Copper Plating →
- Two-Stage Countercurrent Rinsing →
- Nickel Plating →
- Two-Stage Water Rinsing →
- Citric Acid Dip →
- Gold Plating →
- Recovery Rinse →
- 2-3 Stage DI Water Rinsing →
- Trocknen
(Hinweis: Gegenstromspülung ist eine wassersparende Spülmethode, bei der das Frischwasser entgegen der Bewegung des Werkstücks fließt).
1. Eintauchen in Säure
- Zweck
- Oberflächenoxide entfernen und die Platte aktivieren
- Schwefelsäurekonzentration: 5%-10% (verhindert verdünnungsinduzierte Instabilität)
- Schlüsselkontrollen
- Zeit: Vermeiden Sie übermäßiges Eintauchen, um Oxidation zu vermeiden.
- Wartung: Auswechseln, wenn die Trübung oder der Kupfergehalt 20 g/l überschreitet
- Chemisch: Schwefelsäure in CP-Qualität verwenden
2.Paneelbeschichtung (Primärverkupferung)
- Zweck
- Schützt dünne stromlose Kupferschichten vor Oxidation/Ätzung
- Prozess-Parameter
- High-acid, low-copper formula (H₂SO₄: 180-240g/L, CuSO₄: 75g/L)
- Zusatzstoffe: Chloridionen (Aufhellerhilfe), Kupferaufheller (3-5ml/L Anfangsdosis)
- Current density: 2A/dm² (Calculation: Panel length × width × 2 × 2A/dm²)
- Temperature: 22-32°C (cooling system recommended)
- Wartung
- Täglich: Nachfüllen von Aufhellern (100-150ml/KAH), Kontrolle der Filterpumpe
- Wöchentlich: Composition analysis (CuSO₄/H₂SO₄/Cl⁻), Hull cell testing
- Monatlich: Anodenkorbreinigung, Kohlefilterung (6-8 Stunden)
- JährlichKohlenstoffbehandlung (je nach Bedarf)
- Wichtige Behandlungsverfahren
- Anode prep: Micro-etching → Alkaline/acid soaking
- Bath treatment: H₂O₂ oxidation → Carbon adsorption → Filtration → Electrolysis
- Parameter adjustment: Restore H₂SO₄/CuSO₄/Cl⁻ levels
3.Säurereinigung
- Zweck
- Oxide/Rückstände entfernen, um die Haftung für die Beschichtung von Mustern zu gewährleisten
- sauer (nicht alkalisch): Verhindert Resistenzschäden
- Kontrolliert
- Konzentration: 10%
- Time: ≥6 minutes
- Bath life: 15m²/L working solution
4.Mikroätzung
- Zweck
- Aufrauen der Kupferoberfläche für eine bessere Bindung
- Parameter
- Ätzmittel: Natriumpersulfat (60g/L)
- Zeit: 20 Sekunden
- Kupfer-Grenzwert: <20g/L
5.Muster Verkupferung
- Zweck
- Aufbau der Kupferdicke für die Strombelastbarkeit
- Prozess
- Wie bei der Plattenbeschichtung
6.Verzinnen
- Zweck
- Dient als Ätzresist für Schaltkreise
- Parameter
- Bath: Stannous sulfate (35g/L), H₂SO₄ (10%)
- Current density: 1.5A/dm²
- Temperature: 22-30°C (cooling required)
- Wartung
- Regelmäßige Analyse, Reinigung der Anodenbeutel, Kohlenstoffbehandlung
7.Vergoldung
- Typen & Zweck
- Hartgold (Ni/Co-Legierung): Abriebfestigkeit
- Weiches Gold (rein): Lötbarkeit
- Parameter
- Citrate-based bath: Au 1g/L, pH 4.5, 35°C
- Vor-Behandlung:Zitronensäure-Tauchbad zur Minimierung der Kontamination
- Kritische Kontrollen
- Anode: Platinbeschichtetes Titan (Edelstahl vermeiden)
- Nachbehandlung:Alkalisches Tauchbad zum Schutz vor Oxidation
8.Vernickeln
- Zweck
- Barriereschicht gegen Cu/Au-Diffusion; verbessert die mechanische Festigkeit
- Parameter
- Current density: 2A/dm²
- Temperature: 50°C (heating required)
- Wartung
- Regelmäßiger Nachschub an Nickelsulfamat/Chlorid und Borsäure
- Anoden-Nickel-Pellets erfordern eine Aufrauhung der Oberfläche
Kritische Anmerkungen
- Sicherheit: Incremental H₂SO₄ addition to avoid thermal runaway
- Präzision: Die Chloriddosierung (30-90ppm) erfordert eine genaue Messung
- Kontrolle der Kontamination: Kohlenstoffbehandlung + Schwachstromelektrolyse
Dieser standardisierte Prozess gewährleistet eine gleichmäßige Schichtdicke, Haftung und Zuverlässigkeit.
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